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大芯超導(dǎo)有限公司

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 大芯超導(dǎo)有限公司元器件專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊,BASiC 碳化硅MOSFET模塊,BASiC 混合IGBT單管,BASiC 混合IGBT模塊,BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊適合應(yīng)用于能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器,變換效率高,被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器,實(shí)現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換,高壓側(cè)接入PV直流側(cè),低壓側(cè)接電池組。
LLC諧振變換器能實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)開關(guān)管的零電壓開通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他開關(guān)電源,其輸入輸出電壓調(diào)節(jié)范圍較寬,且具有高效率,低噪聲,高功率密度等諸多優(yōu)點(diǎn).與傳統(tǒng)Si基功率器件相比,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊具有更加優(yōu)良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場合.針對單相LLC諧振變換器在大電流大功率輸出... [詳細(xì)介紹]
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