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近日,我國(guó)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)正式研制成功,該設(shè)備由中國(guó)電子旗下中國(guó)長(zhǎng)城鄭州軌道交通信息技術(shù)研究院和河南通用智能裝備有限公司聯(lián)合攻關(guān),耗時(shí)一年,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。
晶圓切割在芯片制造中的重要性
據(jù)悉,在整個(gè)芯片制造的流程中,晶圓切割雖然比不上芯片設(shè)計(jì)研發(fā),但也是一個(gè)相當(dāng)重要的環(huán)節(jié)。
在這個(gè)過(guò)程中要用到的精密設(shè)備就是晶圓切割機(jī),由于晶粒相互之間距離極小,而晶粒本身又是相當(dāng)脆弱的物質(zhì),因此對(duì)切割設(shè)備的精度要求極高。除上述難點(diǎn)以外,晶圓切割過(guò)程中還要保證不斷地用凈水沖洗,以避免晶粒污染。切割時(shí)不能偏移切割線,切割后不能造成晶粒之崩塌或裂痕等等。
晶圓切割機(jī)雖然比不上光刻機(jī),但也是科技含金量極高的芯片設(shè)備。
首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)的重要意義
據(jù)悉,首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)通過(guò)采用特殊材料、特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、特殊運(yùn)動(dòng)平臺(tái),可以實(shí)現(xiàn)加工平臺(tái)在高速運(yùn)動(dòng)時(shí)保持高穩(wěn)定性、高精度,運(yùn)動(dòng)速度可達(dá) 500mm/s,效率遠(yuǎn)高于國(guó)外設(shè)備。
在光學(xué)方面實(shí)現(xiàn)了隱形切割的特點(diǎn)。所謂的隱形切割,即在切割中克服了激光劃片產(chǎn)生的熔渣污染,且工序簡(jiǎn)單,提高切割質(zhì)量。設(shè)備根據(jù)單晶硅的光譜特性,結(jié)合工業(yè)激光的應(yīng)用水平,采用了合適的波長(zhǎng)、總功率、脈寬和重頻的激光器,最終實(shí)現(xiàn)該特點(diǎn)。
另一個(gè)重要的特點(diǎn),設(shè)備在影像方面采用不同像素尺寸、不同感光芯片的相機(jī),配以不同功效的鏡頭,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品輪廓識(shí)別及低倍、中倍和高倍的水平調(diào)整;同時(shí)還搭載了同軸影像系統(tǒng),可以確保切割中效果的實(shí)時(shí)確認(rèn)和優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)最佳切割效果。
此外,相比于傳統(tǒng)的切割方式,激光切割屬于非接觸式加工,可以避免對(duì)晶體硅表面造成損傷,并且具有加工精度高、加工效率高等特點(diǎn),可以大幅提升芯片生產(chǎn)制造的質(zhì)量、效率、效益。
如今,中國(guó)的國(guó)產(chǎn)替代和自主可控仍然是當(dāng)下最受人們關(guān)注的話題,隨著中國(guó)市場(chǎng)對(duì)芯片的需求加大,對(duì)晶圓制造的需求也同步增加。
自主可控,聚沙成塔,首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)的研制成功標(biāo)志著國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)激光隱形晶圓切割技術(shù)取得實(shí)質(zhì)性重大突破,對(duì)于我國(guó)芯片制造能力具有重大意義。
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